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具有自動缺陷檢測的原子力顯微鏡


全自動AFM解決了缺陷成像和分析問題，提高缺陷檢測生產(chǎn)率達(dá)1000%

帕克的智能ADR技術(shù)提供全自動的缺陷檢測和識別，使得關(guān)鍵的在線過程能夠通過高分辨率3D成像對缺陷類型進(jìn)行分類并找出它們的來源。

智能ADR專門為半導(dǎo)體工業(yè)設(shè)計(jì)提供*先進(jìn)的缺陷檢測解決方案，具有自動目標(biāo)定位，且不需要經(jīng)常損壞樣品的密集參考標(biāo)記。

與傳統(tǒng)的缺陷檢測方法相比，智能ADR過程提高了1000%的生產(chǎn)率。此外，帕克具有創(chuàng)新性的True-Contact?模式AFM技術(shù)，使得新的ADR有能力提供高達(dá)20倍的更長的探針壽命。




用于**、高吞吐量CMP輪廓測量的低噪聲原子力輪廓儀
工業(yè)優(yōu)越的低噪聲Park原子力顯微鏡（AFM）與長距離滑動臺相結(jié)合，成為用于化學(xué)機(jī)械拋光（CMP）計(jì)量的原子力輪廓儀（AFP）。新的低噪聲AFP為局部和**均勻性測量提供了非常平坦的輪廓掃描，具有*好的輪廓掃描精度和市場可重復(fù)性。這保證了在寬范圍的輪廓量程上沒有非線性或高噪聲背景去除的**高度測量。
超高精度和*小化探針針尖變量的亞埃級表面粗糙度測量
晶圓的表面粗糙度對于確定半導(dǎo)體器件的性能是至關(guān)重要的。對于*先進(jìn)的元件制造商，芯片制造商和晶圓供應(yīng)商都要求對晶圓上超平坦表面進(jìn)行更**的粗糙度控制。通過提供低于 0.5 ?的業(yè)界*低噪聲，并將其與真正的非接觸式模式相結(jié)合，Park NX-Wafer能夠可靠地獲得具有*小針尖變量的的亞埃級粗糙度測量。Park的串?dāng)_消除還允許非常平坦的正交XY掃描，不會有背景曲率，即使在*平坦的表面上，也不需過多考慮掃描位置、速率和大小。這使得其非常**和可重復(fù)地對微米級粗糙度到長范圍不平整表面進(jìn)行測量。
為在線晶圓廠計(jì)量提供高生產(chǎn)率和強(qiáng)大特性

光片和基板的自動缺陷檢測

新的300mm光片ADR提供了從缺陷映射的坐標(biāo)轉(zhuǎn)換和校正到缺陷的測量和放大掃描成像的全自動缺陷復(fù)查過程，

該過程不需要樣品晶片上的任何參考標(biāo)記，是獨(dú)特重映射過程。與掃描電子顯微鏡（SEM）運(yùn)行后在缺陷部位留

下方形的破壞性輻照痕跡不同，新的帕克 ADR AFM能夠?qū)崿F(xiàn)先進(jìn)的坐標(biāo)轉(zhuǎn)換和更強(qiáng)的視覺，利用晶圓邊緣和缺口來自動實(shí)現(xiàn)缺陷檢查設(shè)備和AFM之間的連接。


由于它是完全自動化的，因此不需要任何單獨(dú)的步驟來校準(zhǔn)目標(biāo)缺陷檢查系統(tǒng)的移動平臺，從而將吞吐量增加到1000%。



                   



基于強(qiáng)大視覺進(jìn)行自動傳送和缺陷映射的校正
利用Park的專有坐標(biāo)轉(zhuǎn)換技術(shù)，新型Park ADR AFM能夠?qū)⒓す馍⑸淙毕輽z測工具獲得的缺陷映射**地傳送到300mm Park AFM系統(tǒng)。

自動搜索 & 放大掃描
缺陷分兩步成像；(1)檢測成像，通過AFM或增強(qiáng)光學(xué)視覺來完善缺陷定位，然后(2)放大AFM掃描來獲得缺陷的詳細(xì)圖像，呈現(xiàn)缺陷類型和隨后缺陷尺寸的自動分析。

CMP進(jìn)行表征的長范圍輪廓掃描
平坦化是在使用金屬和介電材料的后段工藝中*重要的步驟?；瘜W(xué)機(jī)械拋光（CMP）后的局部和全局均勻性對芯片制造的產(chǎn)量有很大的影響。**的CMP輪廓掃描是優(yōu)化工藝條件、獲得*佳平坦度以及提高生產(chǎn)率的關(guān)鍵計(jì)量。

C結(jié)合Park NX-Wafer的滑動平臺，為CMP計(jì)量提供了遠(yuǎn)程輪廓分析能力。由于Park自動化原子力顯微鏡獨(dú)特的平臺設(shè)計(jì)，組合系統(tǒng)提供非常平坦的輪廓掃描，并且一般在每次測量之后不需要復(fù)雜的背景去除或前處理。Park NX-Wafer實(shí)現(xiàn)了****的CMP測量，包括凹陷、侵蝕和邊緣過度侵蝕（EOE）的局部和全局的平坦度測量。

亞埃級表面粗糙度控制
半導(dǎo)體供應(yīng)商正在開發(fā)超平坦晶圓，以解決不斷縮小元件尺寸的需求。然而，從來沒有一個計(jì)量工具能夠給這些擁有亞埃級粗糙度的襯底表面提供準(zhǔn)確和可靠的測量。通過在整個晶圓區(qū)域提供低于0.5A的業(yè)界*低噪聲下限，并將其與真正非接觸模式相結(jié)合，Park NX-Wafer可以對*平坦的基底和晶圓進(jìn)行**、可重復(fù)和可再現(xiàn)的亞埃級粗糙度測量，并*小化針尖的變量。即使對于掃描尺寸達(dá)到100μm×100μm的遠(yuǎn)距離波度，也能夠獲得非常準(zhǔn)確和可重復(fù)的表面測量。

高吞吐量晶圓廠檢測和分析
? 自動換針
? 設(shè)備前端模塊（EFEM）用于自動晶圓傳送
? 潔凈室兼容性和遠(yuǎn)程控制接口
? 溝槽寬度、深度和角度測量的自動數(shù)據(jù)采集和分析
Park NX-Wafer的特征
長范圍輪廓儀
長范圍輪廓儀是原子力輪廓儀（AFP）的重要組成部分，并且具有用于自動CMP輪廓掃描和分析的專用用戶界面。
? 200mm : 10 mm
? 300mm : 25 mm (optional 10 mm or 50 mm)

采用閉環(huán)雙伺服系統(tǒng)的100μm×100μm柔性導(dǎo)向XY掃描器
XY掃描儀由對稱的二維撓曲和高-力的壓電堆組成，它們提供高度正交的運(yùn)動，同時具有*小的平面外運(yùn)動，以及納米尺度上**樣品掃描所必需的高響應(yīng)性。兩個對稱的低噪聲位置傳感器被結(jié)合在XY掃描儀的每個軸上，以便為*大掃描范圍和樣品大小保持高水平的掃描正交性。非線性和非平面位置誤差的次級傳感器校正和補(bǔ)償是由單個傳感器引起的。

擁有低噪聲位置傳感器的15μm高速Z掃描器
NX-Wafer通過利用其超低噪聲Z探測器代替通常使用的非線性Z電壓信號，為用戶提供****的形貌高度得到的測量精度。行業(yè)優(yōu)越的低噪聲Z探測器取代應(yīng)用Z電壓作為形貌信號。由高-力壓電堆驅(qū)動并由撓性結(jié)構(gòu)引導(dǎo)，標(biāo)準(zhǔn)Z掃描器具有高的諧振頻率，能夠進(jìn)行更**的反饋。*大Z掃描范圍可由15μm擴(kuò)展到40μm，采用可選的長距離Z掃描儀。
自動測量控制，使您可以獲得準(zhǔn)確的掃描避免繁瑣的工作

                

NX-Wafer配備了自動化軟件，使操作幾乎不費(fèi)吹灰之力只要選擇所需的測量程序，就可獲得**的多點(diǎn)分析懸臂調(diào)整，掃描速率，增益和設(shè)定點(diǎn)參數(shù)的優(yōu)化設(shè)置。


Park的用戶友好的軟件界面為您提供了創(chuàng)建定制操作例程的靈活性，以便您可以全方面使用NX-Wafer以獲得所需的測量。
創(chuàng)建新例程很容易。從零開始，大約需要10分鐘，或不到5分鐘修改現(xiàn)有的一個。
Park NX-Wafer的自動化系統(tǒng)特點(diǎn):

? 無論是自動模式，半自動模式還是手動模式，都可以完全控制

? 每個自動例程的可編輯測量方法
? 對測量過程進(jìn)行實(shí)時監(jiān)測
? 對獲得的測量數(shù)據(jù)的自動分析
生產(chǎn)率滿足精度要求
自動換針 (ATX)
ATX通過圖案識別自動定位針尖，并使用一種新穎的磁性方法使用過的探針脫離并拾取新的探針。然后通過電動定位技術(shù)自動對準(zhǔn)激光光斑。

             

用于更穩(wěn)定掃描環(huán)境的離子化系統(tǒng)
我們創(chuàng)新的離子化系統(tǒng)快速有效地去除了樣品環(huán)境中的靜電電荷。由于該系統(tǒng)總是產(chǎn)生并維持正負(fù)離子的理想平衡，因此它能夠在樣品處理期間產(chǎn)生極其穩(wěn)定的電荷環(huán)境，且對周圍區(qū)域幾乎沒有污染，可將意外靜電電荷的風(fēng)險(xiǎn)*小化。


總動晶圓裝卸器 (EFEM or FOUP)
NX-Wafer可配置各種自動晶圓裝卸器(Cassette 或 FOUP 或其他)。高精度、非破壞性的晶圓裝卸器的機(jī)器人臂充分確保用戶始終獲得快速可靠的晶圓測量。